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本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
SK海力士利川工厂1c DRAM晶圆月产量预计将从2万片大幅提升至14万片。
据报道，为满足云服务提供商及英伟达、AMD 等客户的迫切需求，SK海力士正计划到 2026 年将其DRAM产能扩大超过八倍。
此次扩产的核心是SK海力士位于韩国利川的生产基地，该工厂的1c DRAM 晶圆月产量预计将从目前的2万片大幅提升至14万片。SK海力士还计划扩展其它生产基地，计划到2026年将其DRAM产能扩大8倍以上。
新增的产能将重点分配给面向 AI 服务器和高性能计算领域的新一代产品，主要包括GDDR7图形内存模组和低功耗SOCAMM内存。这两种内存技术因其高带宽和高能效特性，近几个月已在AI服务器市场获得大规模采用。
此外，一向谨慎的SK海力士近期正加大资本投资，将已处于饱和状态的利川、清州工厂的有限生产设备，向龙仁半导体集群扩展。据悉，SK海力士近期将龙仁半导体集群的洁净室面积较原计划扩大了 50%。不久前，龙仁特别市最终批准并公示了龙仁半导体集群一般产业园区的第 9 次产业园区计划变更，将 SK海力士用地（A15）的容积率从原 350% 上调至 490%，建筑物最高高度也从120米放宽至150米。这使得龙仁半导体集群内晶圆厂的洁净室面积得以增加，可以建成比原定计划大 1.5 倍的洁净室，当然投资金额也随之扩大。
此外，SK海力士预计在龙仁半导体集群建设4座晶圆厂，每座晶圆厂的规模均与 SK海力士近期竣工的清州 M15X 工厂的6座晶圆厂相当。去年，SK海力士曾宣布为清州M15X工厂建设投入20万亿韩元以上。据此估算，龙仁半导体集群单座晶圆厂就需投入120万亿韩元以上，4座晶圆厂全部完工后，总投资预计至少达到480万亿韩元。考虑到龙仁半导体集群是一项规划至 2050 年的长期项目，结合物价上涨、开发成本增加等因素，这一投资规模应该为合理估算。
值得注意的是，SK会长崔泰元不久前透露，SK海力士在龙仁半导体集群的总体投资预计将达约600万亿韩元。
三星也在扩产：1c DRAM冲刺月产20万片，重启P5工厂
除了SK海力士，三星电子也在加速扩产。根据报道，三星电子计划截至明年年底，将1c DRAM的生产能力扩大至月产20万片规模。
三星电子的具体规划为：在今年年底前实现月产 6 万片，在明年第二季度前再新增 8 万片，在明年第四季度追加 6 万片，最终达成月产20万片的目标。这一进度以设备安装调试完成的 “就绪状态” 为标准，核心目标是在各节点均具备即时量产能力。
知情人士透露，“截至明年年底，针对1c DRAM的持续产能投资将陆续推进，这是通过提前锁定供应能力，抢占下一代DRAM市场的尝试。”
三星电子为1c DRAM规划月产20万片的产能，这一规模实属罕见。目前三星整体DRAM月产能为65万至70万片，20 万片相当于整体产能的三分之一左右，且大幅超过2022年半导体繁荣期13万片的DRAM产能投资规模。据悉，三星电子将通过现有DRAM生产线的工艺转换，以及平泽第4工厂（P4）新生产线的追加投资，达成20万片的产能目标。
此外，三星电子还在近期重启了耗资60万亿韩元以上的京畿道平泽工厂第二园区 5 号线（P5）项目建设。P5 工厂预计将成为同时生产下一代高带宽内存（HBM）和通用 DRAM 的混合型工厂，计划 2028 年启动运营，届时将根据市场情况考虑是否搭建晶圆代工生产线，也存在提前投产的可能性。
从中长期规划来看，三星电子一直致力于将平泽工厂第一园区（P1~P4）与第二园区（P5~P6）整合，打造总面积达 87 万坪的半导体生产基地。若 P5 和 P6 按计划建成，平泽将成为三星电子全球最大的半导体生产据点。目前 P4 工厂的 4 条生产线中，3 条已投入运营或即将投产，未来将负责第六代10纳米级1c DRAM和 HBM4的量产工作。
此外，三星电子还计划投资 360 万亿韩元，在龙仁半导体国家产业园区集群建设 6 座晶圆厂，预计 2031 年前全部完工。首期目标是明年年底前开工建设 1 号晶圆厂，2030 年实现投产。待平泽工厂生产线扩建与龙仁半导体国家产业园区集群工程全部完工后，三星电子将有12座投入运营的晶圆厂。
明年第二季度之前，内存价格预计再涨50%
即便SK海力士、三星等主要供应商都在加速扩产，但内存短缺的警报远未解除。根据 Counterpoint Research 最新发布的《GenAI 的内存解决方案》双周报告，今年以来内存价格已累计上涨50% 。在此基础上，价格预计将在 2025年Q4继续上涨30%，并可能在明年初再上升约20%。
Counterpoint提到，当前的核心问题之一是传统 LPDDR4 供给趋紧。为了满足AI对先进新品的强劲需求，供应商纷纷将产能转向更高端的工艺，导致整体市场结构被打乱。现货市场价格出现倒挂：服务器和PC使用的DDR5交易价格约为每千兆位（Gb） 1.50 美元，而用于消费电子产品的老款DDR4价格却高达2.10美元，甚至高于目前约 1.70 美元的先进 HBM3e。
Counterpoint最新预测，2026年主要芯片厂商的DRAM产量将增长超过 20%。
当前的芯片短缺主要集中在传统产品端，这对使用 LPDDR4 的经济型智能手机等低价消费电子产品造成了影响。不过，在Counterpoint分析师看来，“真正更大的风险来自先进内存，英伟达近期转向 LPDDR意味着其需求量已达到大型智能手机制造商的规模，这对供应链来说是一个巨大的冲击，因为它无法轻易消化如此大规模的需求。”
Counterpoint表示，传统上，服务器依赖DDR ECC（纠错码）内存以保证可靠性，而英伟达选择转向使用 LPDDR，以实现更低的功耗，并将纠错逻辑转移到 CPU 侧，而非依赖DDR5 ECC。因此，在供应极度受限的情境下，预测2025年Q1至2026年底，DDR5 64GB RDIMM的DRAM 模组的价格将上涨两倍。
DRAM价格情况（DDR5 64GB RDIMM）
目前的短缺主要出现在中低端智能手机市场，对经济型智能手机制造商造成了冲击。Counterpoint分析师表示，“但这种影响很可能会向整个智能手机与消费电子生态系统蔓延。我们所看到的是智能手机 BOM 成本的显著攀升，部分机型的涨幅可能高达15%。这将波及核心的中高端市场，进一步压缩利润率或拖累增长，甚至很可能两者同时发生。”
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