国家知识产权局信息显示，深圳辰达半导体有限公司申请一项名为“含渐变掺杂外延层的新型分裂栅MOS管及其制备方法”的专利中国一线配资网，公开号CN121604468A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制备技术领域，具体公开了一种含渐变掺杂外延层的新型分裂栅MOS管及其制备方法，所述MOS管包括衬底；依次设置在衬底一侧的第一外延层、第二外延层和第三外延层；设置在第一外延层和第二外延层之间的第一渐变层，设置在第二外延层和第三外延层之间的第二渐变层；所述第一渐变层的掺杂浓度为指数型渐变浓度，所述第二渐变层的掺杂浓度为高斯型渐变浓度；其中，第二外延层的掺杂元素包括C和Ge；本发明掺杂梯度在外延生长阶段直接成型，并通过质量流量控制实现指数型与高斯型非线性掺杂分布，避免了高温扩散对梯度曲线的重塑影响，使电场峰值稳定锁定在衬底侧，实现BV与Rds(on)的解耦协同优化。
天眼查资料显示，深圳辰达半导体有限公司，成立于2010年，位于深圳市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本526.3158万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳辰达半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可10个。
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作者：情报员
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